| GD602D 全自動高速固晶機 | |||||||||
| 固晶周期 | ≥72ms UPH:40～50K/H （實際產(chǎn)能取決于晶片與基板尺寸及制程工藝要求） | ||||||||
| 固晶位置精度 | ±25um | ||||||||
| 芯片角度精度 | ±3? | ||||||||
| 芯片尺寸 | 3milx5mil-60milx60mi | ||||||||
| 適用支架尺寸 | L:100-600mm W：80-120mm | ||||||||
| 設備外型尺寸（L*W*H） | 1234（正面長）*1296(側(cè)面縱深)*1750(高度)mm | ||||||||
| GD602F+ 全自動高速電阻機 | |||
| 固晶周期 | ≥110ms UPH:30～35K/H （實際產(chǎn)能取決于貼裝電阻之間的間距與基板行列之間間距） | ||
| 物料尺寸 | 0204及以上尺寸 | ||
| 飛達數(shù)量 | 8組（雙邊） | ||
| 適用支架尺寸 | L:100-600mm W：80-120mm | ||
| 設備外型尺寸（L*W*H） | 1212（正面長）*1294側(cè)面縱深)*1800(高度)mm | ||