| GD80+C 全自動(dòng)高速固晶機(jī) | |||||||||
| 固晶周期 | ≥36ms UPHmax: 90K/h （實(shí)際產(chǎn)能取決于晶片與支架尺寸及制程工藝要求 | ||||||||
| 固晶位置精度 | ±25.4um | ||||||||
| 芯片角度精度 | ±3° | ||||||||
| 芯片尺寸 | 3*3-60*60mil | ||||||||
| 適用支架尺寸 | L:100-170mm W:30-75mm | ||||||||
| 設(shè)備外型尺寸（L*W*H） | 1550（正面長(zhǎng)）*1010.5(側(cè)面縱深)*2005(高度)mm | ||||||||
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